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三星半导体二期项目在西安投资将超140亿美元

2019-08-11 15:17:50 来源:兴乐宏康网 责任编辑:匿名

新华社西安5月17日电(记者李华、薛天)记者近日从位于西安高新区的三星(中国)半导体有限公司采访了解到,三星半导体高端存储芯片二期项目总投资将超过140亿美元。二期项目已于2018年3月开工建设,预计今年7月份建成,2020年一季度实现量产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基在采访中说,三星半导体的存储芯片二期项目分为两个阶段,第一阶段投资70亿美元,第二阶段详细计划还未出炉,但预计会超过70亿美元,总投资将超过140亿美元。

裁判文书网信息显示,黄德军为湖北房县人,出生于1982年。2000年9月18日,黄德军因犯盗窃罪、抢劫罪,被湖北省房县人民法院判处有期徒刑三年,缓刑四年;2003年11月10日,黄德军因犯盗窃罪被判处有期徒刑六年,并处罚金人民币2000元,法院撤销原判决中宣告缓刑的执行部分,决定执行有期徒刑七年,并处罚金人民币2000元,后于2009年1月21日刑满释放;

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据介绍,直接在中国生产“V-NAND”闪存芯片,将使三星更有效率地应对市场的变化和顾客的需求。池贤基说,三星半导体继续投建二期项目,表示他们对中国经济很有信心。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,生产“V-NAND”闪存芯片。一期项目于2014年5月竣工投产。“一期项目计划投资70亿美元,实际总投资超过了100亿美元。”池贤基说。

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